Võimaluse kokkuvõte
Mida hangitakse?
The main purpose of this FIB/SEM equipment is to perform material milling (cutting), 3D characterization, and cross section analysis of epitaxially grown InP, InGaAs, InAlGaAs and InGaAsP layers on InP substrates. The structures may also contain polymer-based planarization layers, SiOx or SiNx dielectric layers and TiPtAu or NiGeAu metal layers. Levering van één SEM +FIB systeem
Allikas ja usaldusväärsus
Allikas: ametlik TEDi teade 519634-2026, viimati kontrollitud 21. aug 2026 19:06. Määravaks jääb algne väljaanne.
Andmed on lihtsamaks lugemiseks ümber struktureeritud. Alati on ülimuslikud ametlik teade ja hankedokumendid.